第一百零四章
正所谓,数理化不分家。
顾律是数学和物理的双料博士,没有理由,化学能够差到哪去。
纳米二氧化铈粉末的制备,非常简单。
首先,称取一定量的Ce(NO3)3-6H2O和六亚甲基四胺,配置成1:5的混合液。
第二步,混合液置于75摄氏度恒温水箱中水浴保温半小时。
第三步,在室温环境下陈化,用离心法分离沉淀。
最后一步,将沉淀洗涤后置于真空干燥箱中,在80摄氏度下烘干。
这样,经过以上四步之后,就可以得到纳米二氧化铈超细粉体。
二氧化铈粉体呈球形,径粒分布较均匀,径粒约为10纳米。
更重要的是,二氧化铈质地较为柔软,作为抛光磨料再也适合不过。
穿戴好白色的实验服,戴好手套口罩,顾律有条不紊的开始操作。
将近一个小时后,顾律提着一个蓝色的塑料小瓶,走出房间。
“顾先生,怎么样?”一直在门外等候的林经理走上前来问道。
“一切顺利。”顾律摘下口罩,笑呵呵的把手中的塑料瓶递给张经理,“我把实验服换下来,然后我们再一块去楼下车间试试效果。”
…………
几分钟后,顾律和张经理两人再次走进车间。
黄师傅拿着一块硅晶片板,一脸苦笑的走过来,“和顾先生说的一样,这次的精度测试和之前相同,表面粗糙度都在1纳米以上。”
顾律接过那块硅晶片,放在手中翻转仔细看了一下,然后用手指感受了一下触感,点点头,“应该就是抛光液的原因,正好二氧化铈抛光液已经制备出来了,再上机试一下吧。”
“我想这次,结果肯定会和之前大不相同的。”顾律嘴角上扬,语气中带着无比的自信。
抛光机夹持住硅晶片,接着放入纳米二氧化铈粉末抛光液,最后,按下启动按钮。
机器开始运转。
顾律抱着胳膊,双眼紧盯着仪器。
同时,脑海中不停回忆着在普林斯顿大学图书馆中,看过关于这方面的内容。
在单硅晶片的化学机械抛光过程中,是主要存在化学腐蚀作用和机械磨削作用。
材料的去除,首先源于化学腐蚀作用。一方面,在抛光过程中,硅片表面局部接触点产生高温高压,从而导致一系列复杂的摩擦化学反应。
纳米二氧化铈抛光液,其具有较高碱性组分和较柔软的纳米磨料颗粒。
在这两者作用下,使硅片表面形成腐蚀软质层,从而有效地减弱磨料对硅片基体的刻划作用,提高抛光效率和抛光表面质量,相应的,提高抛光后硅晶片的精度。
…………
半个小时的时间,一晃眼就过去。
机器和硅晶片摩擦的声音逐渐减小,直到消失。
设备停下后,张经理和黄师傅齐齐把目光看向顾律。
顾律笑了笑,
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